| 型号： | BC847BVN-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANSISTOR DUAL NPN/PNP SOT-563 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| BC847BVN-7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸 | SOT-563 Package Top |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 频率 - 转换 | 300MHz，200MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BC847BVNDIDKR |